Intel新建厂房安装ASML下代最先进EUV光刻机：“2nm”工艺提前投产

来源：设计 2025年05月16日 12:20

去年3月末，Intel CEO安提基辛格（Pat Gelsinger）曾在投资文化交流中交代，Intel 18A工艺核心技术将比原定小时提前结束半年投产，现在Intel正用竭力践行着允诺。

本周，Intel在位于American俄勒冈的D1X车间举办隆重的Mod3扩建仪式，并将此地命名为罗伯茨林奇绿地（Gordon Moore Park）。

Mod3的传闻类似于我们RPG中；也的Mod，也就是模块，显然，这是Intel为D1X车间打的第三个MOD“的软件”，也是第二次扩建，投资高达30亿美元。

D1X-Mod3的主要工作显然从去年8月末就开始了，其重大突破在于，为车间增加了2.5万平米的洁净室空间，将D1X不断扩大了20%，这之后为最终足以搬出ASML的下一代最高效率高数值孔径（High NA）EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200 EUV创造必要条件。

和维修服务Intel 3/4工艺核心技术的NXE 3000系列EUV光刻机相比，EXE 5200大了很多，突破了D1X原“穹顶”。

回到18A工艺核心技术MOS，提速后，更快可以在2024年三季度登场。

关于18A，恰当解释下。本来按照Intel早先多年“老实”的命名习惯，其相关联5nm+。但由于对手MOS、早就损害了电子元件复杂性下定义规范，Intel于是便也下场“肉搏”了。所致激进于认为，18A相关联18埃米，也就是1.8nm，对第三人是MOS2nm。

修定后的Intel最新工艺核心技术路线图如下：

可以看到，去年开始到2024年，Intel的MOS插值将会颇为紧凑，月份会有第一代大规模使用EUV的Intel 4（原7nm），明年月份则是最后一代FinFET电子元件的Intel 3（原7nm+）。

2024高峰会上半年进入基于紧挨栅极电子元件核心技术的RibbonFET电子元件时代，同时还有Intel独创的PowerVia背面电路，首发是Intel 20A（原5nm），个人身份2nm。

Intel新老工艺核心技术命名及指标整理，备注